著者所属：/ 東京大学大学院理学系研究科 名古屋大学大学院工学研究科 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
2003 年 58 巻 4 号 p. 254-257
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銅酸化物超伝導体中に不純物原子をドープすると,そのまわりに準粒子の束縛状態が形成される.走査型トンネル顕微鏡技術の進歩と相俟って,この生活状態の理解がここ数年で飛躍的に進んだ.本稿では,もっとも理解の進んでいるZn不純物近傍の束縛状態について,実験結果とその理論的解釈を紹介する.
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