エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集
第20回エレクトロニクス実装学会講演大会
セッションID: 23A-15
会議情報

4点曲げ負荷によるMOSFETの電気特性変動評価
*小金丸 正明池田 徹宮崎 則幸小出 康智友景 肇
著者情報
会議録・要旨集 フリー

詳細
抄録
電子実装における信頼性の問題として,樹脂封止することで半導体チップ上に生じる応力によって,デバイスの電気特性が変動して製品に不具合が生じてしまう問題が指摘されている。 そこで本研究では,4点曲げ法によりトランジスタに応力を負荷し,電流-電圧特性の変動を計測した。その際,試験片にはゲート長とゲート幅の組み合わせが異なる複数のnMOSFETを用い,特性変動の応力感度におけるデバイス形状依存性を調べた。また,電流方向に対する負荷方向の依存性についても調べた。その結果,相互コンダクタンスの応力感度にゲート長依存性が見られた。また,電流方向と負荷方向が同じ場合は,それらが垂直の場合に比較して応力感度が大きくなることが分かった。
著者関連情報
© 2006 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
前の記事 次の記事
feedback
Top