超薄型パッケージの接合性評価に超音波を利用する場合，一般的に実施されている接合界面にフォーカスを合わせる測定法では，試料表面からの反射波と接合界面からの反射がオシロスコープ上で重畳して，測定が困難である． そこで，本研究では厚さ50μｍと400μｍのSiを接合させたChip on Chip パッケージを対象に，接合界面と試料表面との多重反射波を利用して，二つの波を時間的に分離し，界面からの情報のみを抽出する測定法について検討を行った．また，超音波測定後に実施した断面観察を行い，本法の有効性を確認した．
