スーパーコネクトレベルの微細配線パターンに対する電気的信頼性のEISによる評価

抄録

　近年、電子機器の小型化、高密度実装などによる導体間の微細化に伴い、プリント配線板の絶縁信頼性、特にイオンマイグレーションによる絶縁劣化故障が重要な問題となっている。また、電子機器の用途拡大によるプリント配線板の実使用環境を考慮すると、温度や湿度は重要な因子である。本研究では、従来のL/Sよりもさらに狭小化した銅パターン（L/S=5/5）をポリイミド樹脂上に作製した。作製には、その高周波特性を考慮し、銅パターンと下地層とのフラット接続を可能にするセミアディティブ法を用いた。このような基板に対して、高温高湿下（８５℃、８５％RH）における、耐イオンマイグレーション性を評価した。イオンマイグレーションの発生過程の解析には、電気化学インピーダンススペクトロスコピー（EIS）を主に用い、析出物の解析には、SEM、EDX等を用いた。