低温薄膜キャパシタを内蔵した基板の開発

抄録

本稿では PWB In―line工程及び大形化が可能な薄膜キャパシタの内蔵方法を報告する。CCL（Copper Clad Laminates）基板の上に誘電体として Bi2O3-ZnO-Nb2O5 (BZN，Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7)膜をスパッタ法により低温（<200℃）で形成した。 内臓キャパシタ上に絶縁体を積層し、レーザによるビアを形成して基板を製作した。内蔵したキャパシタは誘電率50、110ｎF/ｃｍ２の容量密度を示す。BZN薄膜はamorphous相としてTCC(Temperature Coefficient of Capacitance)もX7Rを満足し、良好な電気特性を示す。