抄録
半導体三次元実装構造において、チップ薄型化やバンプの小型・狭ピッチ化が進められる一方で接続信頼性の大幅な低下が懸念されている。そのため、実装工程における歩留まり低下の抑制を可能とする高速・低コストのバンプ接続信頼性評価法が求められている。そこでSiチップ局所熱変形計測による非破壊検査法を提案し、すでにフリップチップ構造の表面変位計測よるバンプ接続不良の検出可能性を実証している。本報告では、これまでの検討結果から積層構造における接続不良検出アルゴリズム構築し、レーザ変位計を用いたSiチップ表面計測によってバンプ／チップ間接続部の高速検査が可能であることを明らかにした概要について述べる。
