抄録
MEMSパッケージの封止方法として用いられる陽極接合に関し，封止接合部は接合後のプロセス及び使用環境による負荷を受けるので，信頼性確立のためには，封止接合部の強度データが必須であるが，封止接合部の強度を明確にした報告は少ない．そこで，筆者らは封止接合部の強度評価を行うための試験片の作製方法を考案し，デバイス寸法レベルの試験片における接合温度・電圧をパラメータとした強度試験を行った．その結果，接合温度が200℃の場合、界面が破壊するため接合強度が低いことが明らかとなった。さらに，実際の封止性を評価する試験片を作製し，ヒートサイクル試験を行ったところ，封止の劣化が認められないことを明らかにした．
