抄録
半導体チップを多層に積み上げて１パッケージ化する三次元実装を実現するために、チップを貫通するＣｕ電極を電解めっきで形成する技術について検討を行った。ディップ型めっき装置に搭載したパドル式攪拌や電流制御がめっき成長に及ぼす影響について考察し、それらを最適化することでウエーハに形成したビア底面からのボトムアップ成長を促進させ、短時間で欠陥のないＣｕ電極形成を実現した。また、めっき槽内の極間距離やアノード径、レギュレーションプレートなどの幾何学的要素を調整して電場を制御することで、８インチウェーハ全面で均一なめっき膜厚と埋め込み特性が得られた。
