低インピーダンスを実現するパッケージ基板のビアスタック構造

抄録

　LSIの駆動電圧低下，消費電力増大から要求される電源配線の低インピーダンス化の技術として，ビルドアップパッケージ基板の新たなビア構造を開発した。　開発したビア構造は，レーザー加工とドリル加工という従来のビア加工方法を用いつつ，レーザービアのスタック段数を最大6段まで増やした構造と，複数のレーザービアでドリルビアと接続する構造である。　本構造を用いたパッケージ基板は，従来と比較して，約16%の抵抗低減，約30%のインダクタンス低減の効果を確認し，基板内の電源配線を低インピーダンスで接続可能になる見通しを得た。