赤外可視和周波発生（IV-SFG）法によるポリイミド/基板界面構造の基板依存性の研究

抄録

　表面・界面選択性を持つ赤外-可視和周波発生（IV-SFG）法を用いてCaF2, SiO2基板上に製膜したポリイミド（PMDA-ODA）薄膜を調べたところ、CaF2のSFG強度がSiO2の2-5倍になるという顕著な基板依存性を見出した。これは両基板上のポリイミド薄膜の表面構造に基板依存性が存在する事を示唆している。またC=O対称伸縮モードとC=O逆対称伸縮モードのピーク強度比から、イミド環のポリイミド分子長軸方向の傾き角はSiO2上に製膜した場合よりもCaＦ2上に製膜した場合の方が大きい事が分かった。