日本液晶学会討論会講演予稿集
Online ISSN : 2432-5988
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2006年 日本液晶学会討論会
セッションID: 1D11
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反傾ヘキサティックIA*とは異なる新規な反強誘電性発現機構
巨大電傾効果をもつ変調へキサティックB*
*福田 敦夫コルラツキー R.ヴィジ J. K.
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抄録
SmCA*の低温側にはHxIA*やHxI*が現れ,SmC*およびSmCA*の関係とは逆に, HxIA*がHxI*の高温相である.また,X線で層間隔の温度変化を測定すると, HxIA*やHxI*ではSmAよりも大きくなることも知られおり,層内隣接分子が相互 にずれるためではないかと考えられてきた.我々はホメオトロピックセルを使 い,フェニル環のC_-_C伸縮振動をIR分光測定し,配向秩序パラメータの温度変 化を求めたところ,X線の結果と酷似していることを見出した.これはヘキサ ティック相では分子が傾いていないことを明確に示している.ヘキサティック 相における新規な反強誘電性出現機構を本報告で提唱する.
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© 2006 日本液晶学会
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