多置換型不斉ビナフチル誘導体の合成と、液晶分子へのキラル誘起力の評価

抄録

我々はキラルビナフチル誘導体が持つ軸不斉を周囲の液晶分子に効果的に伝達するための最適な置換の位置を考察した。まず、ビナフチル環の n,n’ 位置 (n = 3, 4, 6)に液晶基を導入した新規キラル化合物を合成し、これをキラルドーパントとしてネマチック液晶 (N-LC)　またはスメクチック C 液晶 (SmC) に添加し、誘起キラリティーの周囲の大小を検討した。その結果、6,6’位に置換基を持つ場合、ビナフチル部位の軸不斉を周囲の液晶分子に波及する上で最適であることが明らかになった。