タングステン中の空孔と侵入型不純物原子が結合した欠陥複合体の第一原理計算

抄録

タングステン中の単空孔の陽電子寿命計算値は200 ps程度の値が報告されている。一方で、水中電子線照射で空孔を導入したタングステンからは170 ps前後の陽電子寿命値が報告されており、空孔-不純物複合体の存在が示唆される。本講演では、空孔と侵入型不純物原子との相互作用および空孔-不純物複合体での陽電子消滅特性を計算した結果について報告する。