電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌)
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<電気回路・電子回路>
GaNを用いた半導体試験装置向け8 Gbps高速リレーMMIC
小山 慧佐藤 拓岡安 潤一岡部 秀之君島 正幸
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2021 年 141 巻 8 号 p. 856-859

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抄録

An 8 Gbps high-speed relay MMIC for an Automated Test Equipment (ATE) using a gallium nitride is developed and evaluated. Metal-Insulator-Semiconductor structure with a tantalum oxynitride is employed to reduce a leakage current for ATE applications. The fabricated MMIC shows 0.3 nA of the leakage current, 12 GHz of a -3 dB bandwidth, and excellent eye-opening of 8 Gbps signals with a 18-leads QFN package. The MMIC has 2.0×2.4 mm of package size and achieves higher channel density than an existing photo relay generally applied in ATE.

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