半導体微細化技術の現状と今後の展望

—半導体の未来を描く極端紫外光 (EUV) 露光光源—

抄録

1．はじめに　半導体の微細化の道筋はITRSのロードマップ⁽¹⁾によれば，2011年に22 nm NAND Flashメモリの量産がダブルパターニングで開始された (図1) 。また16 nmでは過去EUVが本命とされていたが，光源出力の問題から量産技術の選択からはずされ (2012年)，現在ではArF液浸リ