電気学会誌
Online ISSN : 1881-4190
Print ISSN : 1340-5551
ISSN-L : 1340-5551
SF6低温プラズマと半導体プロセス周辺
真壁 利明
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キーワード: プラズマエッチング, 狭ギャップRIE, RF低温プラズマ, タングステンエッチング, 解離ラジカル分子
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1995 年 115 巻 8 号 p. 492-494

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