Fabrication and Characterization of a Schottky Barrier Diode-Type Ultraviolet Sensor using a ZnO Single Crystal

電気学会論文誌Ｅ（センサ・マイクロマシン部門誌）

Online ISSN : 1347-5525
Print ISSN : 1341-8939
ISSN-L : 1341-8939

特集論文

Fabrication and Characterization of a Schottky Barrier Diode-Type Ultraviolet Sensor using a ZnO Single Crystal

Haruyuki Endo, Mayo Sugibuchi, Kohsuke Takahashi, Shunsuke Goto, Tatsuo Hasegawa, Eriko Ohshima, Kazuyuki Meguro, Kazuhiro Hane, Yasube Kashiwaba

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キーワード: ultraviolet sensor, ZnO single crystal, Schottky barrier photodiode

ジャーナルフリー

2007 年 127 巻 3 号 p. 131-135

DOI https://doi.org/10.1541/ieejsmas.127.131

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抄録

In this paper, a visible light blind ultraviolet sensor of a Schottky barrier photodiode using a ZnO single crystal is described. The sensor consists of a semitransparent Pt film for the Schottky electrode and Al thin film for the ohmic electrode on an n-type ZnO single crystal substrate grown by the hydrothermal method. The responsivity was 0.12 A/W at the wavelength of 365 nm and the photoresponse time was 12 μs.

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© 2007 by the Institute of Electrical Engineers of Japan

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