電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌)
Online ISSN : 1347-5525
Print ISSN : 1341-8939
ISSN-L : 1341-8939
特集研究開発レター
極薄Au薄膜を用いたウェハスケール・大気中常温接合のためのプラズマ処理方法の検討
山本 道貴松前 貴司倉島 優一高木 秀樹須賀 唯知伊藤 寿浩日暮 栄治
著者情報
ジャーナル 認証あり

2019 年 139 巻 7 号 p. 217-218

詳細
抄録

Pretreatment using Ar or O2 plasma was investigated for wafer-scale room-temperature bonding using ultrathin Au films in ambient air. The main difference between Ar plasma and O2 plasma is their surface activation mechanism: physical etching and chemical reaction, respectively. Bonding strength of samples obtained by Ar plasma treatment was strong enough to be broken from Si substrates, while that of samples obtained by O2 plasma treatment was only about 0.1 J/m2.

著者関連情報
© 2019 電気学会
前の記事 次の記事
feedback
Top