青紫色GaN系半導体レーザの現状

抄録

次世代光ディスク用光源として注目されてきた青紫色GaN系半導体レーザは，1996年に室温パルス発振が確認されてから，急激な進歩を遂げてきた．実用化に至るまでの開発課題は，信頼性の確保であり，半導体結晶中の欠陥（転位）を低減することであった．近年，欠陥の少ない良質なGaN基板が得られるようになり，高品質な青紫色レーザが容易に作製できるようになった．本稿では，低転位GaN基板を用いた高出力青紫色レーザの構造，基本的な特性を報告すると共に，CD，DVD，そして次世代光ディスク用青紫色レーザの3世代光源をひとつのパッケージで供給できる3波長レーザについて紹介する．