抄録
アモルファスセレン（a-Se）の局在準位と光劣化現象をゼログラフィック放電法を用いて研究した．a-Se薄膜に長時間光照射することにより荷電欠陥が生成される，光照射により生成される荷電欠陥はあらかじめ試料に存在する荷電欠陥D+，D-と同じものであり，光照射することによりD+，D-の密度が増加する．バンドギャップと等しいフォトンエネルギーを持つ光で照射することにより効率よく荷電欠陥は生成される．一方，光照射中に電界を印加することにより欠陥の生成効率は減少する．これらの実験結果は，光照射による荷電欠陥の生成には光生成された電子－正孔ペアのgeminate再結合過程が重要であることを示唆している．a-Seの光疲労と励起再結合機構について議論する．
