抄録
角度多重方式ホログラフィックメモリーにおいて高密度化を実現するために重要なページ間クロストーク低減技術について検討した．隣接ページ間で位相差を付加することによりページ間クロストークを制御する二つの方式を考案した．一つは隣接ページ間でページ全体にπ/2の位相差を付加することによりクロストークをキャンセルする方式であり，もう一方は隣接ページ間で所定領域にπの位相差を付加することにより信号を増幅する方式である．シミュレーションによりノイズ低減効果を比較し，後者がより効果が高いことを確認した．また，実験によりその効果を検証した．最後に，高転送速度を実現する上ではページ間で高速に位相を制御することが課題となるため，強誘電性液晶を用いた高速位相制御について検討した．
