抄録
走査型プローブ顕微鏡(SPM)の探針を上部電極として用いることによりナノメータスケールの微細な金属/Langmuir-Blodgett(LB)膜/金属接合構造を実現した。この接合構造は電圧印加により伝導度の上昇を示す。導電性探針を用いた原子間力顕微鏡(AFM/STM)を用いた遷移後の表面のAFM像と電流像の同時観察では伝導度の変化のみを示し、LB膜表面の隆起あるいは微小孔といった形状の変化は見られなかった。この結果はLB膜の導電性の変化がLB膜への微小孔形成または探針からの金属クラスターの付着を伴わずに発生することを示している。遷移は1μs以下で発生可能で、また探針先端の損傷なしに少なくとも数千ヶ所で状態遷移を起こすことが可能であることから高密度な情報記録装置の可能性を示した。
