抄録
巨大磁気抵抗(GMR)効果を用いた高感度磁気センサおよび不揮発性メモリに関する検討を行った。各GMRデバイスは、スピンバルブ膜とバイアス電流線とを含む積層構造体により構成され、バイアス電流から発生する磁界を用いることでデバイスの動作制御を行う。磁気センサでは、微細加工スピンバルブ膜が示すステップ状の磁気抵抗曲線の立ち上がり部分のみを用いることで高感度化を実現し、0.5 Oeの磁界変動が検出できた。また、不揮発性メモリでは、スピンバルブ膜に抵抗値として情報を記録し、2つのメモリ素子の差動出力を検出することで再生磁界を必要としない低消費電力型メモリの動作を確認した。
