ファイバグレーティングを用いた外部共振器レーザの数値解析

抄録

ファイバグレーティングを用いた外部共振器型半導体レーザは波長選択性が高くWDM用光源として期待されているが、温度変化時のモードホッビング現象により発振が不安定になることが懸念される.本報告では、ファイバグレーティングの反射特性を考慮した共振条件の解析及び半導体光アンプの特性解析を組合せる手法からモードホッピング現象のシミュレーションを実施した.シミュレーション結果は実測とよく一致することから解析手法の妥当性が確認され、また発振波長の温度変化率は一般的なDFBレーザよりも小さいことを示した。さらに発振波長及びモード間利得差の温度変化に着目し、シミュレーションからレーザ構造と温度特性の関係について明らかにした。