バックチャネル効果削減によるチャネル保護膜型TFTの信頼性向上効果

抄録

アモルファスシリコン/チャネル保護膜-界面処理の解析によりa-Si上に薄SiOxNyを成膜する事で裏TFT閾値が大きく移動しTFTのバックチャネル起因リークを抑制出来る事が初めて判明した。TEM観察、ホール伝導性測定、裏TFT電流電圧特性のVd依存性により、SiOxNy成膜初期状態において電荷が形成されていると思われる。薄SiOxNy処理はリーク改善によってVglマージンを改善するのみならず、基準電圧の変化によりVghマージンシフトも改善可能である。