抄録
在傳統的自對准金屬誘導横向結晶("MILC"=metal induced lateral crystallization)薄膜晶体管("TFT"=thin film transistor)結〓中, 覆蓋于源漏區之上的誘導金屬一方面将溝道區由兩側誘導横向晶化(MILC), 〓一方面誘導源漏區本身金屬誘導晶化("MIC"=metal induced crystallization), 従而在MILC溝道區与MIC源漏區之間形成明埆的晶界。本文表明這些溝道區邊縁的MILC/MIC晶界的存在将影響TFT的表觀閾電壓(apparent V_T);将這些MILC/MIC晶界従源漏的結區消除, 或者對其進行〓气鈍化處理, 都可以有効地降低V_T。
