低電圧離散時間動作を可能にする3ステート電流メモリ
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集積回路の微細化や移動体通信の普及にともない電源電圧を低下させる必要が生じてきた.離散時間アナログシステムでは, 低電圧において電流を双方向にスイッチング可能であるフローティングのCMOSアナログスイッチが動作不良を起こす.本稿では, 離散時間アナログシステムの低電圧化にともないフローティングのCMOSアナログスイッチを不要にし, 低電圧動作の限界を緩和する3ステート電流メモリ回路を提案する.さらに, 提案する電流メモリ回路では, ゲート接地回路の増幅率により, 非常に低い入力インピーダンスを実現し, 低電圧離散時間システムへの応用を容易にしている.提案する3ステート電流メモリを応用して, 電源電圧1.5V, 10bit分解能を実現する循環型A/D変換器や, サンプリング周波数100kHz, カットオフ周波数5kHzのサンプル値フィルタを設計する.
