単磁極ヘッドにおけるイレーズバンド幅の記録密度依存性

抄録

単磁極ヘッド書き込み・垂直二層膜媒体系において、その急峻なヘッド磁界分布のため記録にじみが小さく、高トラック密度化の制限となるイレーズバンド幅も小さいことが期待される。本報告では、実際にスピンスタンドを用いたオフトラックプロファイルの測定を行い、イレーズバンド幅の記録密度依存性を検討した。20kFRPI〜200kFRPIの測定範囲において、書き込みトラック幅は記録密度に依存せず主磁極幅と測定誤差内で等しく、またイレーズバンド幅も記録電流および記録密度に依存せず、30 nm以下の狭イレーズバンド幅が得られた。