抄録
Cs系合金は低仕事関数を持ち, 光電面電極として実用化されている.本研究では, このCs系合金を有機電界発光(EL)素子の電子注入陰極として検討した.ITO/トリフェニルアミン誘導体(TPD)/アルミキノリノール錯体(Alq_3)/Cs_2O/Al構造で, 印加電圧6.4V, 電流密度100mA/cm^2において1500cd/m^2の輝度を得た.これはAlLi陰極を用いた場合と同等の特性である.ショットキー放出に基づく電子注入機構の解析結果より, Cs_2O/Al電極のAlq_3に対する電子注入障壁は0.39eVであると見積られた.
