抄録
AC型PDPの発光放電電流が、回路スイッチの作用によらず放電セル自信の作用で切れることに着目し、サステインスイッチ素子のIGBT化を検討した。スイッチング特性はパワーMOS FETに劣るものの、高耐圧で大電流時の電圧降下が小さいという特長をもつIGBTの実用性を調べた。IGBTのスイッチング特性の改良と、AC型PDPとの組み合わせにより、IGBTの欠点であるテール電流の影響が軽減できる一方、大電流領域でのPDP輝度特性の改善などが見られ、IGBTがサステインスイッチ素子として有望であることがわかった。また、より以上の性能を求めた場合の課題なども明確にした。当然のことながら、特定電流値で同一電圧降下特性であれば、パワーMOS FETに比べ、IGBTのチップ面積は半分以下となり、回路コスト面でも非常に有利である。
