巻号一覧
前身誌
25.4
選択された号の論文の25件中1～25を表示しています
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原稿種別: 表紙
p. Cover1-
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーPDF形式でダウンロード (13K) -
原稿種別: 目次
p. Toc1-
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーPDF形式でダウンロード (112K) -
植村 典弘, 矢島 裕介, 川浪 義実, 鈴木 敬三, 河内 宣之, 籏野 嘉彦原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-1
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーPDP実パネルとその放電機構を搭載した紫外線分光装置を用い, Ne-XeおよびNe-Xe-He放電ガスプラズマからのXe 147nm, Xe_2 173nm紫外線およびXe 823nm, Xe 828nm赤外線発光の時間分解測定を行なった。得られた時間分解分光スペクトルをエネルギーフローモデル(化学反応速度論)を用いて解析した結果, 以下のことがわかった。Heガスを添加すると147nmと173nmを総合した紫外線発生効率が増大する。これは173nm発光する分子の前駆体となるXe*(^3P_2)状態原子形成へのエネルギーフローが, 高エネルギー準位Xe励起原子とHe原子との衝突により増大することが主原因である。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (589K) -
石井 啓二, 山本 敏裕, 上田 智志, 武井 達哉, 栗山 孝夫, 関 昌彦, 高野 善道, 村上 宏, 加藤 俊宏原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-2
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー高精細なPDPを実現するために、放電路のセル隔壁を近接させ、セル幅を0.2mm以下に狭めた陽光柱PDPの放電特性を調べた。2つの陽極を用いる事により、放電セル内の紫外線発生領域を負グロー領域と陽光柱領域に分けて特性評価を行った。陰極近傍に見られる負グロー領域では、セル幅の低下により、陰極面積と蛍光面が減少し、陰極降下の上昇、発光輝度の低下が見られ、発光効率は低下する。陽光柱領域では、セル幅の低下に対して電位は影響を受けず、発光輝度は、紫外線強度の増大と共に増加し、この領域の発光効率は上昇する。この結果、セル幅が減少した場合でも、放電セル全体の発光効率は低下しない事が確認できた。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (627K) -
牧野 充芳, 溝端 英司, 土岐 薫原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-3
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー電圧の印加から放電の発生までの遅れ時間(放電遅れ時間)は、偶発的な初電子発生までに経過する統計遅れ時間tsと初電子発生から絶縁破壊までに必要な形成遅れ時間tfとから成る。tsのばらつき度合い、または初電子生成の割合として放電確率Poを定義することができる。実際のAC-PDPを使って、書き込み放電の際の放電遅れ特性(放電確率Po、形成遅れ時間tf)を測定した。予備放電の直後、Poは指数関数的に減衰し(短寿命成分)、その後は1/(at+b)形状で減衰する(長寿命成分)。長寿命成分は、維持放電の頻度にも依存しており、維持放電回数が多いほど大きくなる。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (622K) -
村上 由紀夫, 平野 芳邦, 松崎 秀臣, 村上 宏原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-4
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーPDPにおける紫外線発光機構の解明と発光効率の改善を目指して, 放電セルの計算機シミュレーションを行っている。この解析精度を向上させるために, 二次電子がガス分子などと衝突して陰極に戻される逆拡散効果を1次元コードに導入し, 各種放電特性について調べた.DC型セルの典型的な条件で計算した放電開始電圧は, 真空中の二次電子利得γを用いた場合は276Vになり, 実効的な二次電子利得γ'を用いた場合は, その値の減少に伴い294Vに上昇した.また, パルス放電時の最大電流は, 前者の104μAに対して後者は72μAとなり約70%に減少した.さらに, この時の紫外線発光効率についても計算し比較した.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (656K) -
上谷 一夫, 梶山 博司, 加藤 明, 床本 勲, 小泉 康浩, 能勢 功一, 井原 靖, 鬼沢 賢一, 峯村 哲郎原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-5
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー本研究では、新型イオンプレーティング(IP)法及び電子ビーム(EB)蒸着法によりMgO薄膜を作製し、膜構造に及ぼす成膜条件の影響を調査した。IP膜の先端は、鋭利な剣状を示し、表面に露出している柱状結晶の数密度はEB膜の約2倍であった。以上の結果は、IP法ではプラズマの効果によって、EB蒸着法よりも酸化反応が促進されることを示唆している。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (889K) -
梶山 博司, 上谷 一夫, 加藤 明, 床本 勲, 小泉 康浩, 能勢 功一, 井原 靖, 鬼沢 賢一, 峯村 哲郎原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-6
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーイオンプレーティング(IP)法により作製したMgO薄膜の二次電子放出係数(γ)は従来の電子ビーム(EB)膜よりも大きな値を示した。IP法で作製したMgOの薄膜では、緻密な柱状組織が基板界面から成長しており、最表面では結晶面が明瞭に形成されていた。このような結晶の特徴がMgO薄膜からのγ向上に寄与していると考えられる。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (775K) -
平川 貴義, 内池 平樹, 張 書秀, 後藤 貞浩, 堤 圭一郎原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-7
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー真空紫外線透過特性を有するac-PDPの保護層材料として期待されるMgAl_2O_4について原料の組成比と二次電子放出比γ_iの関係を測定した。組成比が二次電子放出比に影響を及ぼす結果を得た。また、MgAl_2O_4をMgF_2基板に1000Å蒸着し、真空紫外線に対する透過率を測定した。活性化をしたMgAl_2O_4蒸着膜の真空紫外線の透過率が大きく改善される結果を得た。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (526K) -
秋庭 豊, 井上 良二原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-8
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー高輝度・高発光効率を目的に新構造PDPを提案し、3インチパネルを試作評価した。パネル構造はメタル隔壁を用いたAC型長ギャップ(0.75mm)電極構造で、メタル隔壁をアノード(グランド)駆動することにより狭パルス放電(電流パルス幅:150nsec)を実現した。更に、アドレス・表示分離方式による新たなサブフィールド波形を構築し、静止画、階調表示を確認した。この表示の基で白色発光効率η=2.5lm/W、白色輝度B=500 cd/m^2の性能を得た。42インチVGAワイドパネル換算での消費電力Pは全白表示で300Wになる。今後、狭パルス特性の改善によりCRTレベルを超える性能向上が期待できる。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (810K) -
大脇 一泰, 澤 一樹, 志賀 智一, 御子柴 茂生, 大江 崇之, 戸田 幸作, 上田 壽男, 苅谷 教治原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-9
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーカラープラズマディスプレイ(PDP)において空間周波数の高い成分を有する画像を動画表示した場合、動画偽輪郭の発生以外に、コントラストの低下、縞本数の変化、境界部分のにじみ、縞の出現等の画質劣化が発生することが分かった。この画質劣化は単にサブフィールド数を増やすだけでは解決できない。また、サブフィールド発光にbinary code以外のものを選んでも、誤差拡散を行っても改善はできない。等化パルス方とサブフィールド数の増加を併用することで改善することができた。この考えはTFT-LCDの画質向上にも適用可能である。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (590K) -
張 書秀, 藤井 英貴, 大西 孝之, 國分 正孝, 尾畠 道夫, 内池 平樹原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-10
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー(Ba, Eu)O-MgO-Al_2O_3系においてAl/(Ba+Eu)比を変化させて, カラーPDP用青色蛍光体としての発行と劣化特性について研究を行った。化学量論を持つ組成では熱劣化特性に優れ, 非化学量論を持つ組成では真空紫外線の照射劣化に対して優れていた。熱劣化と真空紫外線照射劣化のいずれも結晶構造と欠陥に関連するものと推測している。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (359K) -
大沢 通孝, 小野澤 誠, 桑原 武, 大平 浩二, 石坂 勝男原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-11
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーAC型PDPの発光放電電流が、回路スイッチの作用によらず放電セル自信の作用で切れることに着目し、サステインスイッチ素子のIGBT化を検討した。スイッチング特性はパワーMOS FETに劣るものの、高耐圧で大電流時の電圧降下が小さいという特長をもつIGBTの実用性を調べた。IGBTのスイッチング特性の改良と、AC型PDPとの組み合わせにより、IGBTの欠点であるテール電流の影響が軽減できる一方、大電流領域でのPDP輝度特性の改善などが見られ、IGBTがサステインスイッチ素子として有望であることがわかった。また、より以上の性能を求めた場合の課題なども明確にした。当然のことながら、特定電流値で同一電圧降下特性であれば、パワーMOS FETに比べ、IGBTのチップ面積は半分以下となり、回路コスト面でも非常に有利である。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (731K) -
三上 明義, 池田 拓也, 佐々木 悟, 山本 和志原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-12
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー緑色EL材料の新規探索を目的とし、3元系硫化物と希土類発光中心を組合わせたZnMgS:Tb系材料を高周波スパッタリング法により試作検討した。ZnMgS:Tb系緑色EL材料は、高いクランプ電界強度に起因する励起確率の増大、結合半径の整合性によるTbの高濃度ドーピング、多元系母体と希土類元素に適した高周波スパッタ技術の導入が特徴であり、その結果として発光効率の改善が期待される。ターゲット材料として高温焼成したZnMgS系ソースを使用した方が、ZnSおよびMgS混合系ソースよりも、成長膜の結晶性は改善された。更に、RGマルチカラー化を前提とした3種類の発光層構成(ZnS:Mn, ZnMgS:Mn/ZnS:Mn, ZnMgS:Tb/ZnS:Mn)を比較した結果、色純度、発光スペクトル・発光強度の角度依存性に関するの光学解析ではZnMgS:Tb/ZnS:Mn積層構造において優れた表示特性が得られた。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (726K) -
中島 徹, 小南 裕子, 中西 洋一郎, 畑中 義式原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-13
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー電子ビーム蒸着法によりSrS:Cu, F薄膜EL素子の作製を行った。蒸着源として作製したSrS:Cu, F蛍光体は約460〜475nmにピークを持つ青色のPLが得られた。作製したEL素子は二重絶縁構造であり、絶縁層としてY_2O_3、バッファ層としてZnSを用いた。熱処理条件はAr中900℃で5分間とし、Cu添加量0.3及び0.5at%の場合に約475nmにピークを持つ青色ELが得られた。Cu添加量0.1at%の時に1kHzパルス駆動で最高到達輝度80cd/m^2、発光効率0.06lm/Wが得られ、またCuの添加量0.3at%の素子は最も良い色純度を示し、ClE色度座標でx=0.13、y=0.22を達成した。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (473K) -
深田 晴己, 杉尾 幸彦, 櫻井 弾, 徳田 尚紀, 大観 光徳, 田中 省作, 小林 洋志原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-14
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーSrS:Ce薄膜EL素子において、SrS:Ce発光層の結晶性および発光効率を向上させるためには、蒸着後の高温条件下における熱処理が必要である。本研究では、SrS:Ce自体が持つポテンシャルを最大限に引き出すためには、どのような温度プロセスが必要であるかを、SrS母体粉末ならびにSrS:Ce粉末蛍光体を作製することにより検討を行った。SrS母体内にSr欠陥を多く生成するためには1000℃以上の温度が必要であり、Ce^<3+>はSr欠陥が多く存在する場合にSrS母体内に多く付活させることがわかった。また、アルカリ金属硫化物を添加することにより、低温度プロセスにおいてでも、高い発光が得られる可能性があることがわかった。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (612K) -
深田 晴己, 櫻井 弾, 徳田 尚紀, 大観 光徳, 田中 省作, 小林 洋志, 高橋 聖樹原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-15
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーBaTiO_3厚膜絶縁層を有するSrS:Ce Hybrid EL素子を電子線蒸着法により成膜した。成膜時に、安定にSを供給するためにH_2Sガスを供給した。しかし、H_2Sガス中のH_2またはHがBaTiO_3絶縁層の還元劣化を引き起こし、EL素子の特性の低下ならびに絶縁破壊が生じた。この問題点は、H_2Sをクラッキングし、さらに分解されたH_2やHをTaに吸収させることで、BaTiO_3絶縁層の劣化が抑制され、高温成膜が可能となった。クラッキング温度を900℃にした場合に、1kHz駆動において、最大輝度1260cd/m^2、発光効率0.61lm/Wが得られた。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (550K) -
荻 季彦, 三浦 登, 松本 皓永, 中野 鐐太郎原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-16
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーEL素子の青色発光材料として注目されているBaAl_2S_4:Euを、簡便な電子ビーム蒸着法により成膜した。基板温度、熱処理条件などの最適化を行ったところ、BaAl_2S_4:Eu薄膜から470nmにピークを持つ青色PL発光が得られた。さらにEL素子を製作し、472nmにピークを持つ青色発光が得た。得られた発光はCIE色度座標で(x=0.12, y=0.11)の色純度の良い青色発光であった。最高輝度は1kHz正弦波駆動で200cd/m^2であった。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (412K) -
川西 光宏, 三浦 登, 松本 皓永, 中野 鐐太郎原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-17
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー高輝度な青色発光発光を示すBaAl_2S_4:Eu EL素子において絶縁層にTa_2O_5薄膜を用いた素子の電気的特性を評価した。ZnS:Mn EL素子と比較してBaAl_2S_4:Eu EL素子は、輝度に対する移動電荷密度が非常に高く、高輝度発光を得るためには、高い移動電荷密度が必要である。我々のBaAl_2S_4:Eu EL素子は、絶縁層にある程度の導電性を持たせることによってBaAl_2S_4:Eu発光層に不足している移動電荷を補い高輝度発光を得た。しかし、これが低効率の原因であり、改善の必要がある。そこで、移動電荷密度の低減の点から効率の改善の可能性を考察した。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (560K) -
石森 敏文, 三浦 登, 松本 皓永, 中野 鐐太郎原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-18
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー複数の発光層を持つ補色型の白色発行有機EL素子において、通常ドーパントとして使用される蛍光色素を超薄膜発光層として挿入することで白色発光の実現を目指しその取り出しに成功した。まずRubrenの超薄膜層を持つ素子を作製し、ドーパント材料単独でも発光層の機能があることがわかった。さらに改良しAlq_3/BCP/DCM-1/TPD構成でDCM-1を極めて薄くすることにより、DCM-1層の橙色発光とTPDの青紫発光の補色で白色を得た。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (433K) -
服部 励治, 三宅 和則, 小笠原 亮原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-19
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー我々は有機LEDディスプレイの大画面化・フルカラー化に向けて中間調表示可能な電流指定方式アクティブマトリックス回路を提案する.この回路は薄膜トランジスターおよび有機LEDの閾値電圧のシフト・バラツキを自動的に補償することができる.またこの回路はポリシリコン薄膜トランジスターだけなくアモルファスシリコンを用いても実現でき, 対角4inchを超える大型画面にも対応できる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (550K) -
和田 英樹, 小南 裕子, M. Kottaisamy, 中西 洋一郎, 畑中 義式原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-20
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー希土類(Tm, Tb, Eu)を添加したY_2O_3薄膜蛍光体は、石英、ITO付ガラス基板及びZnO付石英基板上に電子ビーム蒸着法を用いて作製し、その結果、Y_2O_3薄膜蛍光体は立方晶を形成し、かつ、その結晶性は基板と基板温度に依存していることが分かった。[0001]配向したZnO付基板上に蒸着したY_2O_3:Tm薄膜は、ITO付基板上に蒸着したものより良い結晶性とCL輝度を示した。Y_2O_3:Tm、Y_2O_3:Euにおいて、青、緑及び赤色薄膜蛍光体として試みた。これらの薄膜蛍光体の色度座標は、Tm(0.13, 0.07)、Tb(0.58, 0.35)及びEu(0.32, 0.57)を示し、3kV、60μA/cm^2励起で、2.19(Tm), 187.0(Tb)及び89.4cd/m^2(Eu)を示した。希土類添加RGB発光Y_2O_3薄膜の結果は、電界放射型ディスプレイにおける高輝度、良色度の潜在力を持っていると考えられる。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (539K) -
M. Kottaisamy, 中島 宏佳, 小南 裕子, 中西 洋一郎, 畑中 義式原稿種別: 本文
セッションID: IDY2001-21
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー2kV以下の低速電子線励起における希土類添加Y_2O_3の発光特性を向上させるために, Znを添加したY_2O_3の電子線励起発光特性について研究を行った。Y_2O_3にZnを5mol%添加することにより導電性と結晶性が向上すると共に, 360nmの弱い発光を含む390nmでの強く鋭い発光を示したがZnO特有の緑色発光は観測されなかった.この近紫外発光の強度は電流密度と励起電圧と共に増加した.しかし, 近紫外発光はEu, Er, Tm等の希土類添加により減少し, ZnドープY_2O_3のCL強度はZnをドープしない場合と比較して, それぞれ赤, 緑, 青の領域の発光において30-40%向上した.低速電子線励起発光特性の向上において, Znドープの効果と役割について議論する。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (506K) -
原稿種別: 付録等
p. App1-
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーPDF形式でダウンロード (85K) -
原稿種別: 表紙
p. Cover2-
発行日: 2001/01/29
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーPDF形式でダウンロード (67K)
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