抄録
汎用SiGe-BiCMOSプロセスを用いて試作したSi-LEDを集積化したイメージセンサに関して報告する.試作したLEDは逆バイアス印加型であり,接合部濃度構成によりブレークダウン機構がZennerブレークダウンとアバランシェブレークダウンとに分類され,アバランシェ型LEDの方が発光効率が高いことが分かった.このLEDをAPS(Active Pixel Sensor)と集積化した素子を試作し,LED-APS間距離がAPS放電特性に及ぼす影響を調べ500μm以上の距離があればAPS放電特性には殆ど影響しないことが分かった.
