抄録
Si-CMOSプロセスと両立する、Si表面バルクマイクロマシニング技術を用いて、熱起電圧を利用するサーモパイル型赤外線センサの開発を行った.無電対のp+ポリSiの幅をn+ポリSi幅の約2倍にする最適化により、センサのSN比は両ポリSiが同じ幅の場合より約10%向上し、感度と応答速度の両面から、サーモパイル型センサとしては最高の性能を達成している.また、受光部にエッチング穴を設けることにより、表面バルクマイクロマシニング技術で作製されるセンサ寸法としては2mm□までを可能とした.さらに、センサは、20000g以上の衝撃性に耐えることも確認された.
