抄録
我々は、トランジスタ特性に直接関与するチャネル長Lを比較的容易にスケールダウンできるTop and Bottom Contact電界効果トランジスタ(TBCFET)を考案し、その特徴について研究してきた。本報告では、ペンタセン薄膜を用いた約0.5μmのチャネル長を持つTBCFETを作成し、その特性を評価した。TBCFETで得られる出力ドレイン-ソース電流(I_<DS>)は、従来の100μmのチャネル長を持つ横型FET素子と比較して1〜2桁大きな値となった。しかしながら、この素子では、ゲートオフ時のI_<DS>が大きくオン-オフ比が非常に小さいという問題があった。オフ電流を低減させるためにトップ電極と半導体層間にショットキー障壁を形成させることによりオン-オフ比の改善に成功した。
