抄録
SiO_2を添加したCoPtCr磁気記録層の微細構造,磁気特性,電磁変換特性に関して検討を行なった.分析の結果,主にSiの酸化物により形成された結晶粒界を有する粒径7nm以下の微細な結晶構造が実現されていた.CoPtCrへSiO_2を添加することは,Ru下地上へのCoPtCr結晶粒のエピタキシャル成長を阻害することなく,明瞭な偏析構造を有する微細構造を実現するのに非常に効果的である.作製された垂直媒体は記録層の膜厚12nmにおいても,3.5×10^6erg/cm^3程度の大きな磁気異方性エネルギーK_uと80以上のK_uV/kTを示しており,4kOe以上の大きな保磁力H_cと0.9以上の角型比M_r/M_sが得られた.CoPtCr-SiO_2媒体は非常に薄い膜厚においても優れた電磁変換特性と高い熱安定性を示しており,高密度垂直磁気記録媒体として非常に有望であると考えられる.
