抄録
我々は、バイオメディカル応用を目指した低電圧・低消費電力CMOSイメージセンサの研究を行っている.低電圧・低消費電力を実現するために、フォトダイオード電位を画素内のゲート接地型コンパレータを用いてパルス幅に変換して読み出すパルス幅変調方式CMOSイメージセンサを採用している.これまでに128^H×96^V画素、電源電圧1.35VのPWMセンサの動作実証に成功している。本報告ではPWM方式のIRドロップに関する特性を定式化しその影響を無視できるよう、0.35μmプロセスを用いて電源電圧1.2V駆動CIF(368^H×320^V)サイズのセンサ設計を行ったので報告する.
