抄録
MRAMは次世代のメモリとして期待されているが,情報書き込み時の高い消費電力が実用化を妨げている.そこで我々は新しい書き込み方式として垂直MRAM用応力アシスト磁化反転(Stress Assisted Magnetization Reversal : SAMR)方式を提案している.これまでの報告により,磁歪材料であるDyFeCo薄膜に330 MPaの応力を印加することで保磁力が1400 Oeに対して200 Oeで磁化反転する結果が得られている.本報告ではSAMRのさらなる印加応力の低減化を狙い,超磁歪材料であるTerfenol-D(Tb_<9.3>Dy_<25.2>Fe_<65.5>)を試料として用いた.測定結果より低応力かつ低磁界磁化反転に向けた今後の指針について考察していく.
