抄録
近年,光ディスク技術において,高密度化が要求されている.しかし,光の回折限界により,現在の光記録方式による記録密度の上限は,短波長を用いた場合でも約20Gbit/inch^2であると言われている.そこで,光の回折限界の打破を可能とする技術として,光近接場技術が注目されている.本稿では,近接場光を発生させるボウタイ形金属ナノ開口付近の電界分布の3次元数値解析をFDTD法を用いて行う.なお,本解析では光の波長領域において誘電率が負となる金属媒質を対象とする電磁界解析を行うために,電子の運動方程式を考慮したFDTD法及びPML吸収境界条件を用いる.
