正帰還補償を用いて線形性を向上したGmアンプの設計手法とそのフィルタ設計への応用(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)

抄録

100nm以下のプロセスでは、低電圧下での動作が要求される。そのため、入力のダイナミックレンジが減少する。また、トランジスタの出力抵抗が低下するため、高利得のアンプが実現できない。つまり、高精度なアナログ回路を実現することが困難である。そこで、我々は正帰還補償を用いることで、回路の線形性を向上させることを提案する。2次ローパスフィルタを提案する手法で設計することで、高精度を実現できる。