抄録
フローティングディフュージョン(FD)容量(C_<FD>)成分の解析と低減技術,およびそれらを適用して試作した高感度・高飽和CMOSイメージセンサについて述べる.テストパターンを用いたC_<FD>成分抽出結果を解析し,C_<FD>を極小化する非LDD・低濃度拡散層構造を提案した.横型オーバーフロー蓄積容量(LOFIC),デュアルゲイン列アンプ,浮遊容量負荷読み出し,埋め込みチャネル画素ソースフォロワ(SF)トランジスタと共に極小CFD構造を適用した最小加工寸法0.18μm-CMOSイメージセンサプロセスを用いて試作した360×1680画素CMOSイメージセンサを評価し,コンバージョンゲイン(CG)243μV/e^-,読み出しノイズ0.46e^-_<rms>,飽和容量(FWC)76ke^-を得た.
