シリコンフォトダイオードを用いた分光感度差分型紫外線センサ

Yhang Ricardo Sipauba Carvalho da Silva; 幸田 安真; 那須野 悟史; 黒田 理人; 須川 成利

doi:10.11485/itetr.40.15.0_5

40.15 情報センシング

セッションID: IST2016-22

DOI https://doi.org/10.11485/itetr.40.15.0_5

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主催: 一般社団法人映像情報メディア学会

シリコンフォトダイオードを用いた分光感度差分型紫外線センサ

*Yhang Ricardo Sipauba Carvalho da Silva, 幸田安真, 那須野悟史, 黒田理人, 須川成利

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キーワード: 紫外線センサ, 分光差分, バルクシリコン, 紫外線, フォトダイオード

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抄録

ドーパントの濃度プロファイルを調整することで，紫外線高感度PDと紫外線低感度PDの2種類のPDを受光素子内に作り込み，それらの分光感度差からSiのみで紫外線を検出するセンサを作製した．試作したセンサにより，310 nmの紫外線に対して0.132 A/Wの感度，500 nmより長い波長に対して0.014 A/W以下の残留感度を有する，紫外線に対して選択性の高い感度スペクトルを得た．本稿では，開発した分光感度差分型紫外線センサの原理，作製方法と測定結果について論じる．

責任著者(Corresponding author)

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