Al酸化膜を用いたAl熱拡散法によるZnTe-LEDの作製

抄録

ZnTeは純緑色領域における高効率発光ダイオードの実現が期待される材料である。これまで我々は,ZnTe表面上に酸素ラジカルを照射することで形成した表面酸化膜を拡散制御層として用いたAl熱拡散により,優れた特性のZnTe LEDが実現できることを示してきた.本研究では,拡散制御層にAl酸化膜を用いることで拡散層の均一性の向上とLED特性の一層の改善を図った.MBE装置内にてp型ZnTe上にAl酸化膜を形成し、その上に拡散源としてAl薄膜を堆積した後,420℃の熱拡散によりLEDを作製した.その結果、Al酸化膜の堆積時間の増加によりpn接合深さが浅くなり,拡散層内のAl濃度が減少していることが明らかとなった.拡散層の均一性は従来に比べ向上した。また、LEDの発光強度はAl酸化膜の堆積時間に大きく依存し、最適条件下では従来に比べ約3倍以上改善することができた.