SRAMの閾値電圧ばらつきによる書き込みマージンへの影響に関する研究

抄録

CMOSの微細化が進みCMOSの閾値電圧のばらつきがSRAMセルの書き込みマージンに与える影響が深刻になってきている。本研究では、CMOSの閾値電圧のばらつきを統計学的に処理することで書き込みマージンへの影響を、1)感度解析と、2)閾値電圧を正規分布下でモンテカルロ解析を行い、閾値電圧のばらつきに対するSRAMの書き込みマージンのばらつきを求めた。両手法とも、閾値電圧の基準値を400mVとし閾値電圧の標準偏差50mVとすると、変化する書き込みマージンはおよそ46mVの標準偏差を持つばらつきを持つことがわかった。