ソース同相・差動制御によるWRM改善効果のためのDC解析とトランジェント解析による比較検討

抄録

6T-SRAMにおけるVDDMソース端子の差動、同相制御によるライトマージン(WRM)の改善量をより正確に示すために、DC解析とトランジェント解析で比較検討した。その結果、両者の解析手法ともVDDMの差動制御のほうが同相よりも、DC解析では約4mV、トランジェント解析では約5mV優位であることがわかった。トランジェント解析はWLやBLが制限されるため、WRM値そのものは、DC解析よりも約21mVから60mV、(基準値より約5%から12%)の低い値を示したことがわかった。