SiC-VJFETを用いたインバータの周波数特性

抄録

従来よりパワーエレクトロニクスの応用分野で使用されているスイッチング用パワーデバイスの大多数はSiデバイスである。近年,次世代パワーデバイスの候補の1つとしてSiC(シリコンカーバイド)デバイスに注目が集まっている。本論文では,SiCデバイスであるSiC-VJFETを用いて三相電圧形インバータを作製し,Siインバータとの周波数特性比較を行ったので報告する。