ナノ秒パルス高電界印加時のHelaS3細胞におけるmRNAの発現に関する研究

抄録

本論文では、細胞にナノ秒パルス高電界を印加することによってアポトーシスが誘導される際の細胞内におけるシグナル伝達について議論する。実験において、HelaS3細胞（ヒト子宮頸癌細胞）に非加熱ナノ秒パルス高電界（パルス幅120 ns,電界強度12.5 kV/cm）を印加したのち、細胞のmRNAの発現量をポリメラーゼ連鎖反応法 (PCR法)を用いて調べた。なお、電界印加装置として磁気パルス圧縮回路を用いた。