高耐熱用コンタクトプローブの接触抵抗の温度依存性の評価

抄録

次世代パワーデバイス(SiC,GaN等)の開発において,これらのデバイスを集積化して従来のパッケージ技術では困難である高電圧(1.2 kV以上),高温(400℃以上)環境下で動作可能とするため,著者らはガスとセラミック基板の複合絶縁による新しいパッケージ技術を提案し,実現に向け検討してきた。本報では,高温用パワーデバイス評価試験装置にコンタクトプローブを適用するため、室温~400℃までの接触抵抗の温度依存性について検討したので報告する。