レーザー照射によるn型ZnOナノワイヤ／p型GaN膜のヘテロ接合LEDの特性改善

抄録

ZnOナノワイヤを利用するLEDではZnOのp型化が困難であるためn型ZnOナノワイヤと他のp型半導体のヘテロ接合による紫外LEDの研究が盛んに行われている。我々は，これまでp型GaN膜とのヘテロ接合LEDの試作に成功している。ただし，ナノワイヤの成長温度が高温なため，GaN膜にダメージが生じないようサファイア基板上に成長させたナノワイヤをGaN膜に機械的直接接触させる構造をとっている．しかし，この構造では良好な接触を得るのが難しく，安定性が悪い課題がある。そこで，接合面へのレーザー光照射による熱負荷の小さいZnOナノワイヤとp型GaN膜とのp-n接合改善の可能性について実験的に検討を行った。