ナノインプリントを用いたCVD法によるZｎOナノワイヤの配列制御

抄録

II-VI族化合物半導体であるZnOは3.37 eVの広いバンドギャップと，室温の熱エネルギー(25meV)に比べて大きな励起子束縛エネルギー(60 meV)を持つため，紫外発光素子や紫外レーザー，紫外センサー等への応用が期待されている。本研究では、CVD法によるZnOナノワイヤ作製装置を試作し，作製条件の最適化を行った。CVD法の特長の一つは，触媒を予めパターン化しておけば，ZnOナノワイヤのパターン化成長が可能なことである。その特長を活かしてナノインプリントによるAu触媒のパターン化を行い、ナノワイヤの配列制御の実験を行ったので報告する。