抄録
近年,情報化社会の進展に伴い,情報機器を構成するLSIの動作高速化や高密度実装化が進んでいる.それにより,高速スイッチング動作時に生じる電源雑音や,それに起因して生じる放射雑音が問題となっている.本研究室では放射雑音低減方法として,基板周辺端部へ整合用抵抗を付加する手法(抵抗付加法)を提案している.本研究では抵抗付加法を用いて,長方形基板での放射雑音低減の検討を行っている.これまで,Vcc層とGND層を同一形状として,適用評価を行ってきた.今回は,Vcc層とGND層の形状が異なる基板において,付加効果の評価,抵抗の最適値検討を行った.